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7N65 TO-220F场效应管

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产品参数

  • 品牌: 浩辉
  • 规格型号: 7N65
深圳市浩辉微电子有限公司
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产品详情

MOS管7N65产品特征:

1、RDS(on)=1.2?@VGS=10V

2、低栅电荷(典型的29nC)

3、高强度

4、快速切换

5、100%雪崩试验

6、增强的dv/dt能力

MOS管7N65产品主要参数

产品型号:7N65H

工作方式:7A/650V

漏至源电压:650V

门到源电压:±30V

雪崩能源:14.7/230MJ

操作和储存温度范围:-55至150℃

封装:TO-220F

  本公司MOS管TO-220F封装产品有:2N60   3N60   4N60   5N60   7N60  8N60   10N60    7N65    8N65            10N65    11N65    12N65   3N80   5N80    6N80    7N80   8N80     13N50   19N20      9N50    16N60            20N60(品质稳定,价格优势,无铅环保

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产品参数
  • 品牌 浩辉
  • 规格型号 7N65
  • 行业分类 电子元器件/场效应管
  • 产品类别
  • 生产商 深圳市浩辉微电子
  • 产地 中国广东省深圳市
  • 库存 1000000
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