原?层沉积是基于表?控制的薄膜沉积技术。在镀膜过程中，两种或更多的化学?相前驱体依次在基底表?发?化学反应从?产?固态的薄膜。在反应腔内有惰性载?穿过；前驱体通过极短的脉冲注?到这个惰性载?中。 惰性载?携带着前驱体脉冲作为?种有序“波”依次通过反应腔，真空泵管路，过滤系统，并终通过真空泵。
ALD前驱
可?原?层沉积的常?的材料包括（选择）：
氧化物: Al2O3, CaO, CuO, Er2O3, Ga2O3, HfO2, La2O3, MgO, Nb2O5, Sc2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2, VXOY, Y2O3, Yb2O3, ZnO, ZrO2, etc.
氮化物: AlN, GaN, TaNX, TiAlN, TiNX, etc.
碳化物: TaC, TiC, etc.
?属: Ir, Pd, Pt, Ru, etc.
硫化物: ZnS, SrS, etc.
氟化物: CaF2, LaF3, MgF2, SrF2, etc.
?物材料: Ca10(PO4)6(OH)2 (hydroxyapatite)
聚合物: PMDA–DAH, PMDA–ODA, etc.
掺杂纳?涂层和复合结构：ALD 可以使??量不同的材料组合