雪崩能量测试系统是专门设计测试IGBT、二极管、SIC系列MOS管的测试设备，该设备主要组成单元有：泰克示波器、程控电源、程控电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率器件、IGBT器件过压、过流保护电路、计算机程控系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器等。该测试系统主要用于IGBT、FRD、MOS、器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试方法参考MIL-STD-750F.3470，测试电流1.0-200A，电压100-3500V，雪崩能量可达10J。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理后，将测试数据以EXCEL 表格形式显示并进行最终的编辑和打印，同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求，并预留电压电流扩展功能。整体采用轮式机柜集成测试，具有简洁的人机交互界面（计算机）和良好的保护措施，操作简单，移动方便等特点。

进线电压：AC220V±10%

功率消耗：1.5KW

电源电压VDD：10-200V 分辨率1V,误差3%

雪崩电压V(BR)DUT：100-3500V 实测范围值（根据客户要求可定制）

雪崩能量：实测1-10J 实测计算值