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仪器仪表/电子测量仪器/其他未分类

晶体管光耦测试仪/直流参数测试仪

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产  地:

中国陕西省西安市

规格产数

行业分类:

仪器仪表/电子测量仪器/其他未分类

品  牌:

博微

规格型号:

BW-3022A

产品详情

BW-3022A

晶体管直流参数测试仪

品牌: 博微电通

名称:分立器件测试仪/半导体静态参数测试仪/晶体管参数测试仪

型号: BW-3022A

用途: 针对二极管、三极管、MOSFET、JFET、三端稳压器IC、基准器TL431、双向可控硅等提供15种主要参数的测试,及测试参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试。

BW-3022A产品介绍:

BW-3022A晶体管直流参数测试仪用于半导体电子元器件及IC的静态直流参数测试,测试种类包括 二极管、三极管、MOSFET、JFET、三端稳压器IC、基准器TL431、双向可控硅等,电流分辨率1uA,测试电压可达1500V,中文软件界面友好,简化了系统的操作和编程,提供了快速的一次测试条件和测试参数的设定,测试条件及数据同步存入EEPROM中,BW-3022A晶体管直流参数测试仪为双极型晶体管.MOS场效应管,J型场效应二极管等提供了15种主要参数的测试,和参数”合格/不合格”(OK/NO)测试。操作简便,实用性强。广泛应用与半导体电子行业、新能源行业、封装测试、家电行业、科研教育等领域来料检验、产品选型等重要检测设备之一。

产品电气参数:

产品信息

产品型号:BW-3022A

产品名称:晶体管直流参数测试仪;

物理规格

主机尺寸:深 305*宽 280*高 120(mm)

主机重量:<4.5Kg

主机颜色:白色系

电气环境

主机功耗:<75W

环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

相对湿度:≯85%;

大气压力:86Kpa~106Kpa;

防护条件:无较大灰尘,腐蚀或可燃性气体,导电粉尘等;

电网要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;

工作时间:连续;

服务领域:

应用场景:

产品特点:

?大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单

?大容量EEPROM存储器,储存量可多达2000种设置型号数.

?全部可编程的DUT恒流源和电压源.

?内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路.

?高压测试电流分辨率1uA,测试电压可达1500V;

?重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题;

?软件自校准功能;

?自动测试测DUT短路、开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试;

?DUT的功能检测通过LCD显示出被测器件/DUT的类型,显示测试结果是否合格,并有声光提示;

?整流二极管测试能自动识别引脚功能,并自动转换矩阵开关进行参数测试.显示对应引脚功能号;

?两种工作模式:手动、自动测试模式。

BW-3022A测试技术指标:

1、整流二极管,三端肖特基:

1.1 耐压(VRR)测试指标

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-1600V

2V

/-2%

0-2.000mA

1.2导通正向压降(VF)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-2.000V

2mV

/-2%

0-2.000A

2 、N型三极管

2.1 输入正向压降(Vbe)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-2.000V

2mV

/-2%

0-2.000A

2.2 耐压(Bvceo)测试指标

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-1600V

2V

/-5%

0-2.000mA

2.3 直流放大倍数(HEF)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-12000

1

/-2%

0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce)

2.4 输出饱和导通压降(Vsat)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-2.000V

2mV

/-2%

0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)

3、P型三极管

3.1 输入正向压降(Vbe)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-2.000V

2mV

/-2%

0-2.000A

3.2 耐压(Bvceo)测试指标

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-1600V

2V

/-5%

0-2mA

3.3 直流放大倍数(HEF)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-3000

1

/-2%

100uA(Ib) 5V(Vce)固定

3.4 输出饱和导通压降(Vsat)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-2V

2mV

/-2%

0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)

4、N,P型MOS场效应管

4.1输入启动电压(VGS(th))

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-20.00V

20mV

/-2%

0-2.000mA

4.2耐压(Bvds)测试指标

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-1500V

2V

/-5%

0-2mA

4.3导通内阻(Rson)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-9999MR

0.1MR

/-5%

0-20.00V(VGS)

0-2.000A(ID)

10R-100R

0.1R

/-5%

0-20.00V(VGS)

0-2.000A(ID)

5、三端稳压IC

5.1 输出电压(Vo)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-20.00V

20mV

/-2%

0-20.00V(VI)

0-1.000A(IO)

6、基准IC 431

6.1输出电压(Vo)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-20.00V

20mV

/-2%

0-1A(Iz)

7、结型场效应管

7.1漏极饱和电流(Idss)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-40mA

40uA

/-2%

0V(VGS)

0-20V(VDS)

40-400mA

400uA

/-2%

0V(VGS)

0-20V(VDS)

7.2耐压(Bvds)测试指标

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-1600V

2V

/-5%

0-2mA

7.3夹断电压(Vgs(off))

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-20.00V

0.2V

/-5%

0-20V(VDS)

0-2mA(ID)

7.4共源正向跨导(gm)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-99mMHO

1mMHO

/-5%

0V(VGS)

0-20V(VDS)

8、双向可控硅

8.1导通触发电流(IGT)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-40.00mA

10uA

/-2%

0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)

8.2导通触发电压(VGT)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-2.000V

2mv

/-2%

0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)

8.3耐压(VDRM/VRRM)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-1500V

2V

/-5%

0-2.000mA

8.4通态压降(VTM)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-2.000V

2mV

/-2%

0-2.000A(IT)

8.5保持电流(IH)

测试范围

分辨率

精度

测试条件

0-400mA

0.2mA

/-5%

0-400Ma(IT)

详细参数请登录官网:www.sxbwdt.cn 或联系厂家索要产品资料。