真空室:采用SUS304材质,直径为1550毫米,高度为1800毫米,为多种规模的生产需求提供灵活选择。
工件架:直径为1400毫米,转速可变(10rpm至30rpm),适应不同工件的需求。
光学膜厚控制:采用HOM2-R-VIS350A技术,确保镀膜过程的精确性。
光学膜厚监控仪:波长范围为350纳米至1100纳米,支持反射式测量,确保涂层厚度的精确控制。
蒸发源:配备两套日本电子24P双枪,提供稳定的蒸发过程。
离子源:23寸光驰RF离子源,为蒸镀过程提供稳定的离子化环境。5万多拍下一个二手的破苹果15
三、设备特点与优势
配置强大:具备齐全的光学薄膜形成装置和高性能的蒸发源与离子源,支持物理以及化学气相沉积技术。
高精度:采用先进的光学膜厚控制技术和监控仪,确保镀膜过程的高精度和高质量。
高效率:真空系统抽速大,具有抽气时间短、真空度高、生产周期短等优点,提高生产效率。
易操作与维护:采用箱式结构,真空系统后置,便于操作和维修,降低维护成本。
综上所述,光驰真空镀膜机OFTC-1800是一款功能强大、配置齐全、高精度且易于操作的真空镀膜设备,支持物理以及化学气相沉积技术,适用于多种光学薄膜的生产需求。
化学气相沉积(CVD)技术是一种利用气态物质在固体表面发生化学反应,从而生成固态沉积物的工艺。
化学气相沉积技术通常包含以下步骤:首先,形成挥发性物质;然后,将这些物质转移至沉积区域;最后,在固体表面产生化学反应,形成固态物质,并产生气相副产物脱离基体表面。这一过程中,最常见的化学反应类型包括热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。
CVD技术的特点在于其能够沉积多种类型的材料,如金属薄膜、非金属薄膜、多组分合金薄膜以及陶瓷或化合物层等。此外,CVD反应通常在常压或低真空条件下进行,具有良好的镀膜绕射性,能够均匀镀覆形状复杂的表面或工件的深孔、细孔。通过调节沉积参数,可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。
在应用领域上,化学气相沉积技术广泛用于半导体工业中生产薄膜,这些薄膜包括硅的化合物(如二氧化硅、碳化物、氮化物、氮氧化物)、碳的各种形态(如纤维、纳米纤维、纳米管、金刚石和石墨烯)、碳氟化合物、钨、氮化钛和各种高k电介质等3。此外,CVD技术还应用于提纯物质、研制新晶体以及制备各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料等领域。
随着技术的发展,CVD技术也不断推陈出新,出现了很多针对特定用途的专门技术,如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等,这些新技术在降低沉积温度、提高沉积速率和改善薄膜质量等方面取得了显著进展。
综上所述,化学气相沉积技术是一种重要的材料制备工艺,具有广泛的应用前景和不断的发展潜力

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